CS1901X系列局部放電安規(guī)綜合測試儀——電子變壓器測試
所屬分類: 公司新聞
發(fā)布時間:2026-06-11
案例分享

- 試驗目的:協(xié)助客戶測試6只樣品的PDIV和PDEV差異性
- 測試條件:測試電壓:5.4kV,上升時間:10s
- 測試時間:30s,下降時間:10s,PDIV≥5kV,起始電量:50PC,
- 熄滅電量:50pC
測試結果分析
根據(jù)測試數(shù)據(jù)可分析,樣品1局部放電指標滿足設計要求,樣品2-6為不合格產(chǎn)品。(備注:1號樣品為進口高頻變壓器,樣品4-6為國內(nèi)制造商初期產(chǎn)品,樣品2-3為改進工藝后產(chǎn)品。最終在廠家4輪更改后,產(chǎn)品局部放電測試樣品性能與樣品1一致,滿足出口要求。)

這是一個非常典型的案例,很好地揭示了局部放電測試在電子變壓器(尤其是高壓高頻變壓器)質量控制和可靠性評估中的關鍵作用。局部放電測試是評估高壓變壓器絕緣系統(tǒng)長期可靠性和工藝質量的至關重要的“體檢”手段。它不是為了測試變壓器能否“通電工作”,而是為了預測其在長期高壓應力下能“可靠工作多久”。
問 為什么電子變壓器要進行局放測試?
01 揭示肉眼不可見的潛在絕緣缺陷
這是最直接的原因。案例中樣品2-6的PDIV(局部放電起始電壓)低于5kV的要求,說明這些變壓器的絕緣系統(tǒng)存在微小但致命的缺陷。這些缺陷包括:內(nèi)部氣泡或空穴、尖端或毛刺、絕緣材料污染或雜質、工藝不一致等,都會導致絕緣薄弱點。
案例關聯(lián): 樣品4-6作為國內(nèi)制造商初期產(chǎn)品,PDIV不合格,直接反映了其生產(chǎn)工藝(如繞線、浸漆)不成熟,存在上述缺陷。樣品2-3作為改進工藝后產(chǎn)品,雖然可能有所改善,但PDIV仍未達標,說明改進尚未觸及根本問題或新工藝引入了其他缺陷。
02預測產(chǎn)品的長期壽命和可靠性
局部放電的破壞性是累積性的。每一次微小的放電都會造成電腐蝕、化學降解、熱降解等。這個過程雖然緩慢,但會持續(xù)不斷地削弱絕緣強度。最終,在長期運行電壓下,這個薄弱點會發(fā)展成導電通道,導致絕緣完全擊穿,變壓器短路失效。一個PDIV值低的產(chǎn)品,意味著它在正常工作時就可能已經(jīng)處于局部放電狀態(tài),其壽命會大大縮短。
案例關聯(lián): 該變壓器要求PDIV ≥ 5kV,意味著其工作電壓可能遠低于5kV(例如3kV)。如果產(chǎn)品的PDIV只有4kV,那么在3kV下運行可能是安全的(無放電)。但如果另一個產(chǎn)品的PDIV只有2kV,那么它在3kV下就會持續(xù)放電,很快損壞。測試確保了產(chǎn)品在額定工作電壓下有足夠的安全裕量。
03評估和優(yōu)化制造工藝的有效工具
案例中最能體現(xiàn)這一點:“最終在廠家4輪更改后,產(chǎn)品局部放電測試樣品性能與樣品1一致”。
量化比較: PDIV/PDEV是具體的數(shù)值,為工藝改進提供了明確的、可量化的目標。制造商不能只憑“感覺”說工藝改好了,而必須用數(shù)據(jù)證明PDIV達到了進口樣品(樣品1)的水平。
問題定位: 通過分析放電信號的特征,有時可以反推缺陷的類型和位置(是繞線問題還是浸漆問題),從而指導工藝改進的方向。
一致性控制: 即使是合格的設計,如果生產(chǎn)工藝波動(如漆膜厚度、浸漆粘度、真空度變化),也會導致產(chǎn)品性能離散。局部放電測試可以篩選出因工藝波動而產(chǎn)生的“次品”,保證出廠產(chǎn)品的一致性。
04滿足特定應用領域的高可靠性要求
案例中提到“滿足出口要求”,這通常意味著產(chǎn)品要用于高端工業(yè)設備、醫(yī)療設備、新能源(光伏/電動汽車)、軌道交通、航空航天等領域。這些領域對設備的壽命和可靠性要求極高,不允許出現(xiàn)因絕緣問題導致的突然故障。局部放電測試是這類高壓元器件必須通過的“門檻”之一。
Solution
針對上述關鍵問題,CS1901X系列局部放電安規(guī)綜合測試儀提供了專業(yè)的解決方案。下面將重點介紹儀器的產(chǎn)品特性與核心功能,展示如何滿足高標準測試需求。

適用標準
CS1901X系列局部放電安規(guī)綜合測試儀,通過高靈敏度局部放電(PD)檢測技術,量化分析設備在高壓、高頻工況下的絕緣劣化趨勢,為新能源輔助變壓器、高頻變壓器、開關電源等關鍵部件的絕緣可靠性提供數(shù)據(jù)支撐,符合IEC60270(GB/T7354)、IEEE 436標準的要求。
產(chǎn)品簡介
CS19010/CS19011/CS19013系列局部放電安規(guī)綜合測試儀是一款適用于高頻變壓器、線纜、絕緣膜、高壓隔離集成電路(如光耦、磁耦、隔離放大器、隔離式數(shù)字通信芯片)、半導體高壓開關(如IGBT、MOSFET),及高壓絕緣組件(如隔離基板)、FIW線(完全絕緣漆包線)、低容值高壓電容器等器件耐電壓測試+漏電流測試+局部放電測試的綜合測量設備,可實現(xiàn)0.1kV~10kV范圍內(nèi)耐壓測試、0.1μA~1mA漏電流測試、1pC~10000pC局部放電測試,在發(fā)現(xiàn)隱藏在隔離器件/絕緣材料中的弱絕緣缺陷應用中展現(xiàn)出卓越的性能。
產(chǎn)品性能
1.實時的Q/V、Q/t趨勢圖:可觀測實時升降壓及測試過程中的局部放電變化趨勢;
2.精準的小信號測量:可測量1pC的電量,分辨率0.1pC。細微之處,盡顯眼底
3.HVCC檢測功能:避免塑封過程及測試夾具因素導致的接觸誤判;
4.適用性廣:可適用于光隔離器、IGBT、電子變壓器、高壓繼電器、定子、線材及絕緣材料的測試;
5.測試設置靈活:可根據(jù)測試模式,自由設置測試步驟、參數(shù),適用不同標準測試要求;
6.實時、細致的服務:及時針對客戶現(xiàn)場出現(xiàn)的測試及自動化配套問題,提供復雜環(huán)境下的測試解決方案。

Q-V趨勢圖
Q-V趨勢圖:
橫坐標:測試電壓,單位kV;縱坐標:放電量,單位pC,
黑線:電壓上升過程的放電曲線;紅線:電壓下降過程的放電曲線
Q-t趨勢圖:
橫坐標:測試時間,單位s;
縱坐標:放電量,單位pC。
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